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先進材料表征方法

 

X射線能譜分析(EDS)聚焦離子束分析(FIB)俄歇電子能譜分析(AES)X射線光電子能譜分析(XPS)
動態二次離子質譜分析(D-SIMS)飛行時間二次離子質譜分析(TOF-SIMS)

 

先進材料表征方法

 

五十路

利用電子、光子、離子、原子、強電場、熱能等與固體表面的相互作用,測量從表面散射或發射的電子、光子、離子、原子、分子的能譜、光譜、質譜、空間分布或衍射圖像,表征材料表面微觀形貌、表面粗糙度、表面微區成分、表面組織結構、表面相結構、表面鍍層結構及成分等相關參數。

 

應用領域

材料、電子、汽車、航空、機械加工、半導體制造、陶瓷品、化學、醫學、生物、冶金、地質學等。

 

常用檢測技術分析深度

 

常用檢測技術分析深度

 

分辨率和探測分析能力

 

分辨率和探測分析能力

 

檢測分析方法介紹

 

分析方法典型應用
俄歇電子能譜(AES)表面微區分析; 深度剖面分析
X射線光電子能譜(XPS/ESCA)表面元素及價態分析;
深度剖面分析
動態二次離子質譜(D-SIMS)對薄膜材料表面元素進行深度分析
飛行時間二次離子質譜(TOF-SIMS)有機材料和無機材料的表面微量分析;
表面離子成像;
深度剖面分析;
輝光放電質譜(GDMS)微量和超微量元素分析;深度剖面分析
掃描電子顯微鏡&X射線能譜(SEM/EDS)表面形貌觀察; 微米尺寸測量;
微區成分分析; 汙染物分析
X射線熒光分析(XRF)測量達到幾個微米的金屬薄膜的厚度;
未知固相、 液相和粉體中的元素識別;
金屬合金的鑒定
傅?葉紅外光譜(FTIR)識別聚合物和有機物;汙染物分析
透射電子顯微鏡&電子能量損失譜(TEM/EELS)微區成分分析;晶體結構分析;晶格成像
背散射電子衍射(EBSD)晶粒尺寸; 晶格方向; 晶粒錯位; 結晶度
X射線衍射(XRD)相結構分析; 晶體取向和晶體質量; 結晶度; 金屬和陶瓷上的殘余應力
掃描探針顯微鏡、原子力顯微鏡(SPM/AFM)三維表面結構圖像, 包含表面粗糙度、微粒尺寸、 步進高度、 傾斜度
拉曼光譜(Raman)

識別有機物和無機物的分析結構;

金剛石和石墨的碳層特征; 汙染物分析

聚焦離子束(FIB)非接觸式樣品準備; 芯片電路修改
離子研磨拋光(CP)樣品微區切割

 

典型檢測分析圖示

 

典型檢測分析圖示

 

 

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