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【失效分析】FIB在ITO表面缺陷的應用

2016-06-24  瀏覽量:1028

五十路

 

【摘要】本文通過FIB的高精度定位切割功能,配合場發射SEM/EDS,綜合分析ITO截面的尺寸和腐蝕產物元素成分,為產品質量提供快捷有效的證據。

 

【關鍵詞】 ITO,失效分析FIB

 

1. 引言

失效樣品為手機顯示屏,具體失效位置在前端IC位置,失效現象是ITO出現出現腐蝕導致顯示異常,如下圖所示,需具體分析失效的原因。

 

失效分析

圖1.ITO表面缺陷SEM觀察圖

 

2. 試驗與結果

 

失效分析失效分析
圖2.失效位置截面觀察圖
失效分析失效分析
圖3.正常位置截面觀察圖
失效分析 
失效分析失效分析
圖4.失效位置EDS測試譜圖圖
失效分析失效分析
圖5.正常位置EDS測試譜圖圖

 

測試
位置
元素含量(wt%)
CONNaMgAlSiKCaMoInTotal
譜圖1/37.61//1.0518.8627.541.235.048.68/100.0
譜圖2/34.04//1.0118.5929.17/5.797.593.80100.0
譜圖3/16.75///13.2012.97//52.283.80100.0

 

3. 結論

根據測試結果,對比OK和正常位置的成分,推斷可能是ITO位置有Mg、K、Ga的鹽類或堿汙染,在使用過程中環境中的水分子在濃度梯度作用下滲透進ITO位置,形成導電溶液,在通電情況下形成電化學腐蝕造成的。

 

4. 參考文獻

GB/T 17359-2012微束分析 能譜法定量分析  

JY/T 010-1996分析型掃描電子顯微鏡方法通則

 

*** 以上內容均為原創,如需轉載,請註明出處 ***

 

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